دانش‌بنیان| اندازه‌گیری شدت میدان مغناطیسی تسهیل شد

دانش‌بنیان| اندازه‌گیری شدت میدان مغناطیسی تسهیل شد


زمان مطالعه : 1 دقیقه
کد خبر : 85726
دستگاه تسلامتر وسیله ای است که با به‌کارگیری آن می توان به آسانی شدت میدان مغناطیسی را مشخص کرد.

رضا افضل زاده عضو هیات مدیره شرکت فناوری ایرانیان پژوهش نصیر با اشاره به این که دستگاه تسلامتر وسیله ای برای اندازه گیری شدت میدان مغناطیسی است، گفت: اندازه گیری میدان مغناطیسی به کمک سنسور اثر هال موجود در نوک پروب انجام می شود.

 

اندازه گیری در حالت متناوب و مستقیم

ویژگی های دستگاه تسلامتر شامل محدوده اندازه گیری از 0 تا 2000 میلی تسلا در حالت متناوب و مستقیم است. تسلامتر ایران ساخت مجهز به دو نوع پروب در راستای میدان و عمود بر میدان نمایشگر 3.2 اینچی رنگی اندازه گیری با دقت نمایش 0.01 و حداکثر 5 درصد خطا قابلیت میانگین گیری است.

تسلامتر قابلیت اندازه گیری میدان مغناطیسی را در انتشار ایستگاه های اصلی تلفن همراه، اندازه گیری توان فرکانس رادیویی برای فرستنده ها، اندازه گیری و تشخیص شبکه های ارتباطی بیسیم و نشت مایکروویو را دارد.

 

استفاده از تسلامتر در عیب یابی

از تسلامتر در شرکت های تولید برق، ایستگاه های کامپیوتری، کارخانجات تجهیزات الکترومغناطیسی مانند فن ها، ژنراتورها و ویدئو مانیتورها، تعمیر و نگهداری نوار مغناطیسی، عیب یابی و تصدیق سیم کشی، آزمایشگاه های کالیبراسیون و اندازه گیری پسماندهای میدان های مغناطیسی باقی مانده از تجهیزاتی که این میدان را تولید می کنند، مانند انواع جرثقیل های آهنربایی استفاده می شود.

این مدیر حوزه دانش بنیان توضیح داد: طراحی محصولات دانش بنیان امروز علاوه بر اشتغال زایی و صرفه جویی ارزی، این قابلیت را ایجاد می کند تا صنایع کشور در کم ترین زمان ممکن به تجهیزات خود دسترسی داشته باشند و خطوط تولید برای مدت زمان زیاد متوقف نشود.

 

مرکز ارتباطات و اطلاع‌ رسانی معاونت علمی و فناوری ریاست جمهوری

#

نظرات شما
تهران، میدان ونک، خیابان ملاصدرا، خیابان شیخ بهایی شمالی،
خیابان لادن، پلاک 20 (کد پستی : 1991745681)
تلفن : 83530
ایمیل : pr@isti.ir
کیفیت اندازه‌گیری خواص مغناطیسی با تجهیزات داخلی بهبود یافت
کیفیت اندازه‌گیری خواص مغناطیسی با تجهیزات داخلی بهبود یافت
98/04/02 - 16:32
 سنجش ویژگی مغناطیسی مواد مختلف امکان‌پذیر شد
سنجش ویژگی مغناطیسی مواد مختلف امکان‌پذیر شد
97/10/23 - 11:06
ساخت ترانزیستورهای ابررسانای مقاوم در برابر میدان مغناطیسی
ساخت ترانزیستورهای ابررسانای مقاوم در برابر میدان مغناطیسی
94/09/08 - 09:21
بیشتر بخوانیم